На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTM120H57FT3G | APTM120H57FTG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP3 | SP4 Module |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <390 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.155 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <1.2 кВ | |
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <684 мОмId, Vgs = 8.5A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 187 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | |