На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APTC60HM70SCTG | APTC60HM70T1G | APTC60HM70T3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SP4 Module | SP1 Module | SP3 |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||
Потужність | P | <250 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <39 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <70 мОмId, Vgs = 39A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 259 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | ||