На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N7002DW | 2N7002DW-7 | 2N7002DW-7-F | 2N7002DWL6327 | 2N7002DW-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <500 мВт | <200 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 50 пФVds = 25V | 50 пФVds = 25V | 50 пФVds = 25V | 20 пФVds = 25V | 50 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <115 мА | <115 мА | <115 мА | <300 мА | <115 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V | <7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V | <7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V | <3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | (не задано) | OptiMOS™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 600 пCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||