На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMN6A08E6TA | ZXMN6A08E6TC | ZXMN6A08GTA | ZXMN6A08KTC | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.1 Вт | <1.1 Вт | <2 Вт | <2.12 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 459 пФVds = 40V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.8 А | <2.8 А | <3.8 А | <5.36 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 4.8A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 5.8 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||