На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMN2B03E6TA | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.16 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 14.5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |