На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMN2A01E6TA | ZXMN2A01E6TC | ZXMN2A01FTA | ZXMN2A01FTC | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.1 Вт | <1.1 Вт | <625 мВт | <625 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 303 пФVds = 15V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А | <2.5 А | <1.9 А | <1.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <120 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V | |||
Заряд затвору | QG | 3 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||