На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMN10B08E6TA | ZXMN10B08E6TC | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 | |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.1 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 497 пФVds = 50V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.6 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <230 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 9.2 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |