На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXM62P02E6TA | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 320 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 5.8 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |