На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VMO650-01F | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Y3-DCB |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Потужність | P | <2.5 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 59 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <690 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.8 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 2.3 мкCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |