На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VMO580-02F | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Y3-Li |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <580 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.8 мОмId, Vgs = 430A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 2.75 мкCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |