US6U37TR

US6U37, US6U37TR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрUS6U37TR
Корпус мікросхеми
Корпус
TUMT6
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<700 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
80 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<1.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<240 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
Заряд затвору
QG
2.2 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)