На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPCP8002(TE85L,F) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-3V1K |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <840 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.7 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <9.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 48 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |