На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPCA8A02-H(TE12LQM | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-5Q1A |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <45 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.43 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <34 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.3 мОмId, Vgs = 17A, 10V |
Заряд затвору | QG | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |