На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPC8114(TE12L,Q,M) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.48 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Заряд затвору | QG | 180 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |