На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TK55D10J1(Q) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-10V1A |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <140 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.7 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <55 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10.5 мОмId, Vgs = 27A, 10V |
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |