На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SUM110N06-3M4L-E3 | SUM110N06-3M9H-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <3.75 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 12.9 нФVds = 25V | 15.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <110 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | |
Заряд затвору | QG | 300 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |