На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SUM110N04-03P-E3 | SUM110N04-04-E3 | SUM110N04-05H-E3 | SUM110N04-2M3L-E3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <3.75 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.5 нФVds = 25V | 6.8 нФVds = 25V | 6.7 нФVds = 25V | 13.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <110 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchFET® | |||
Заряд затвору | QG | 150 нCVgs = 10V | 200 нCVgs = 10V | 95 нCVgs = 10V | 360 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |