STY34NB50

STY34NB50

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTY34NB50
Корпус мікросхеми
Корпус
MAX247™
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<450 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
9.1 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<34 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 17A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PowerMESH™
Заряд затвору
QG
223 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard