На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STW8NB100 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <190 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.9 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.45 ОмId, Vgs = 3.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerMESH™ |
Заряд затвору | QG | 95 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |