На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STW4N150 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <160 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7 ОмId, Vgs = 2A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PowerMESH™ |
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |