На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STW30NM60D | STW30NM60N | STW30NM60ND | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 | ||
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <312 Вт | <190 Вт | <190 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.52 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 50V | 2.8 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | <25 А | <25 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <145 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <130 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | ||
Заряд затвору | QG | 115 нCVgs = 10V | 91 нCVgs = 10V | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||