На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STV250N55F3 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <250 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.2 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ |
Заряд затвору | QG | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |