На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STV160NF02LAT4 | STV160NF02LT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <210 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.5 нФVds = 15V | 4.8 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <160 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |
Заряд затвору | QG | 175 нCVgs = 10V | 160 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |