STS9NF3

STS9NF3, STS9NF3LL

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTS9NF3LL
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
800 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<19 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
STripFET™
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate