На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STS5N15F3 | STS5N15F4 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V | 2.71 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <57 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <63 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |