На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STS1HNK60 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 156 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <300 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SuperMESH™ |
Заряд затвору | QG | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |