STP8NM60FP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		STP8NM60D	STP8NM60FP	STP8NM60N	STP8NM60ND
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220
Виробник	Виробник	STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<100 Вт	<30 Вт	<70 Вт	<70 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	380 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V	560 пФVds = 50V	560 пФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<600 В	<650 В	<600 В	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<8 А	<8 А	<7 А	<7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V	<1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V	<650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V	<700 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
Серія MOSFET	Серія	MDmesh™	MDmesh™	MDmesh™	FDmesh™
Заряд затвору	Q_G	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	19 нCVgs = 10V	22 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard