STP12NM50

STP12NM50, STP12NM50FD, STP12NM50FP, STP12NM50N

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTP12NM50FDSTP12NM50FPSTP12NM50N
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<160 Вт<35 Вт<100 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1 нФVds = 25V1 нФVds = 25V940 пФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<12 А<12 А<11 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V<350 мОмId, Vgs = 6A, 10V<380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
FDmesh™MDmesh™MDmesh™
Заряд затвору
QG
12 нCVgs = 10V39 нCVgs = 10V30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard