На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STL150N3LLH5 | STL150N3LLH6 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerFlat™ (6 x 5) | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <4 Вт | <80 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.8 нФVds = 25V | 3.7 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <35 А | <33 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.75 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V | <2 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |
Заряд затвору | QG | 40 нCVgs = 4.5V | 29 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |