STI25NM60ND

STI25NM60, STI25NM60ND

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTI25NM60ND
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<160 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.4 нФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<21 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<160 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
FDmesh™
Заряд затвору
QG
80 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate