STI21NM60ND

STI21NM60, STI21NM60ND

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTI21NM60ND
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<140 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.8 нФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<17 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<220 мОмId, Vgs = 8.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
FDmesh™
Заряд затвору
QG
60 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard