На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STI19NM65N | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <150 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <15.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 7.75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 55 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |