На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STD8NM60N | STD8NM60N-1 | STD8NM60ND | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <70 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 560 пФVds = 50V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <7 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <700 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 19 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||