На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STD5N20LT4 | STD5N20T4 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <33 Вт | <45 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 242 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <700 мОмId, Vgs = 2.5A, 5V | <800 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | MESH OVERLAY™ |
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 5V | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |