На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STD150NH02L-1 | STD150NH02LT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <125 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.45 нФVds = 15V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <24 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <150 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |
Заряд затвору | QG | 93 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |