На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STD12NM50N | STD12NM50ND | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <100 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 940 пФVds = 50V | 850 пФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |