STD110NH02LT4

STD110NH02, STD110NH02LT4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTD110NH02LT4
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.45 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<24 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<5 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Серія MOSFET
Серія
STripFET™
Заряд затвору
QG
93 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate