STB9NK90

STB9NK90, STB9NK90Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTB9NK90Z
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<160 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.115 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<900 В
Постійний струм стоку
IDSS
<8 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.3 ОмId, Vgs = 3.6A, 10V
Серія MOSFET
Серія
SuperMESH™
Заряд затвору
QG
72 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard