На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB8NM60D | STB8NM60N | STB8NM60T4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <100 Вт | <70 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 380 пФVds = 25V | 560 пФVds = 50V | 400 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | <600 В | <650 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А | <7 А | <8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | ||
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||