На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB80NF55-06-1 | STB80NF55-06T4 | STB80NF55-08-1 | STB80NF55-08T4 | STB80NF55L-06T4 | STB80NF55L-08-1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <300 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.4 нФVds = 25V | 4.4 нФVds = 25V | 3.85 нФVds = 25V | 3.85 нФVds = 25V | 4.85 нФVds = 25V | 4.35 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |||||
Заряд затвору | QG | 189 нCVgs = 10V | 189 нCVgs = 10V | 155 нCVgs = 10V | 155 нCVgs = 10V | 136 нCVgs = 5V | 100 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Standard |