STB40NS15T4

STB40NS15, STB40NS15T4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTB40NS15T4
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.42 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<150 В
Постійний струм стоку
IDSS
<40 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<52 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серія MOSFET
Серія
MESH OVERLAY™
Заряд затвору
QG
110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate