STB40N20

STB40N20

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTB40N20
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<160 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.5 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<40 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серія MOSFET
Серія
STripFET™
Заряд затвору
QG
75 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard