На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB30NM60N | STB30NM60ND | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <190 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.7 нФVds = 50V | 2.8 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 91 нCVgs = 10V | 100 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |