STB300NH02

STB300NH02, STB300NH02L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTB300NH02L
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
7.055 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<24 В
Постійний струм стоку
IDSS
<120 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET
Серія
STripFET™
Заряд затвору
QG
109.4 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate