На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB25NM60N | STB25NM60N-1 | STB25NM60ND | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <160 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 50V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <21 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 84 нCVgs = 10V | 84 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |