STB21NK50

STB21NK50, STB21NK50Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTB21NK50Z
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<190 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.6 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<17 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<270 мОмId, Vgs = 8.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
SuperMESH™
Заряд затвору
QG
119 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard