На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB20NM60-1 | STB20NM60D | STB20NM60T4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <192 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 25V | 1.3 нФVds = 25V | 1.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <20 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <290 мОмId, Vgs = 10A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | FDmesh™ | MDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 54 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V | 54 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||