На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB200NF04-1 | STB200NF04L | STB200NF04L-1 | STB200NF04T4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <310 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <310 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.1 нФVds = 25V | 6.4 нФVds = 25V | 6.4 нФVds = 25V | 5.1 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <120 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.7 мОмId, Vgs = 90A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3.7 мОмId, Vgs = 90A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | STripFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 210 нCVgs = 10V | 90 нCVgs = 4.5V | 90 нCVgs = 4.5V | 210 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||