На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB13NM50N | STB13NM50N-1 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <100 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 960 пФVds = 50V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <320 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | MDmesh™ | |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |