На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STB12NM50FDT4 | STB12NM50N | STB12NM50ND | STB12NM50T4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <160 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <160 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1 нФVds = 25V | 940 пФVds = 50V | 850 пФVds = 50V | 1 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | <500 В | <500 В | <550 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | <11 А | <11 А | <12 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <350 мОмId, Vgs = 6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | FDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ | MDmesh™ |
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||